根據官網(wǎng)APP的星完芯片向英消息，三星電子已完成第六代高帶寬內存(HBM4)芯片的成第產(chǎn)批開(kāi)發(fā)，并正處于準備量產(chǎn)的代H待量階段。目前，偉達公司正在向英偉達(NVDA.US)發(fā)送HBM4原型樣品進(jìn)行質(zhì)量測試。送樣示三星的星完芯片向英目標是年底前完成開(kāi)發(fā)，如果樣品通過(guò)英偉達的成第產(chǎn)批測試，將迅速啟動(dòng)量產(chǎn)。代H待量同時(shí)，偉達三星也在構建即時(shí)量產(chǎn)的送樣示系統。

據了解，星完芯片向英三星已經(jīng)完成了HBM4的成第產(chǎn)批生產(chǎn)準備批準階段，這一階段是代H待量半導體開(kāi)發(fā)流程中的第六步，也是偉達量產(chǎn)批準前的最后一步。自今年6月成功開(kāi)發(fā)10納米級第六代DRAM（“D1c”）以來(lái)，送樣示HBM4的開(kāi)發(fā)進(jìn)展加快。三星計劃借助性能更佳的HBM4，重新獲得相較于競爭對手的市場(chǎng)優(yōu)勢。

在其第三季度財報中，三星提及HBM4樣品正在發(fā)送給關(guān)鍵客戶(hù)，并表示到2026年，內存業(yè)務(wù)將專(zhuān)注于量產(chǎn)具有差異化性能的HBM4產(chǎn)品。今年9月，競爭對手SK海力士宣布已完成下一代內存產(chǎn)品HBM4的開(kāi)發(fā)，并準備進(jìn)入量產(chǎn)，成為英偉達HBM芯片的主要供應商。美光科技(MU.US)在這一領(lǐng)域也與這兩家韓國公司展開(kāi)競爭。