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三星HBM3E芯片獲得英偉達(NVDA.US)認證,順利進(jìn)入AI芯片供應鏈

三星HBM3E芯片獲得英偉達(NVDA.US)認證,順利進(jìn)入AI芯片供應鏈

XM外匯官網(wǎng)APP了解到,星HE芯芯片英偉達(NVDA.US)確認其最新AI加速芯片GB300將采用三星的片獲第五代高帶寬HBM3E技術(shù),這標志著(zhù)三星成功進(jìn)入英偉達的得英供應鏈。

根據消息人士透露,偉達英偉達首席執行官近日已向三星電子會(huì )長(cháng)李在镕發(fā)出正式信函,認證確認GB300芯片將搭載三星的順利12層堆疊HBM3E技術(shù),目前雙方正就供應數量、進(jìn)入價(jià)格及交付時(shí)間進(jìn)行最后的星HE芯芯片磋商。

美光科技是片獲英偉達HBM解決方案(包括HBM3E)的關(guān)鍵供應商,其股價(jià)在周四交易中下跌了3%。得英SK海力士是偉達英偉達的另一重要存儲芯片供應商。

值得一提的認證是,三星在獲得HBM3E芯片的順利英偉達認證方面已努力了一年多。盡管AI硬件行業(yè)正在逐步轉向第六代HBM4芯片,進(jìn)入此次三星供應的星HE芯芯片HBM3E芯片數量有限,但其認證具有里程碑意義,有望加速HBM4的量產(chǎn)認證進(jìn)程。

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